Doctorat / Thèse — Modélisation multi-niveaux et simulation accélérée des sources d’entropie pour l’analyse pré-silicium des TRNG

Doctorat / Thèse Type de financement : CEA. Durée : 36 mois. Date de démarrage : 01/11/27. Date limite de candidature : 31/12/27. Discipline : Analyse numérique, Maths. École doctorale : Electronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal - ED 220.

Ce sujet propose de travailler sur la modélisation et la simulation accélérée des sources d’entropie utilisées dans les TRNG. Vous étudierez comment conserver la richesse des simulations analogiques, netlist et post-layout tout en réduisant fortement les temps de calcul. L’objectif sera de proposer des modèles intermédiaires intégrant les principaux phénomènes physiques : bruit, jitter, variabilités, couplages et effets du layout. Ces modèles s’appuieront sur des bases théoriques issues de l’état de l’art et seront confrontés à des simulations analogiques haute fidélité. Une partie expérimentale permettra également de les valider sur des mesures réelles de sources d’entropie, notamment à l’aide du composant VASCO. Vous chercherez ainsi à relier les paramètres physiques du circuit aux propriétés statistiques et à l’entropie des séquences générées. Les travaux pourront contribuer à améliorer l’analyse pré-silicium, la conception et l’évaluation des TRNG. Les approches développées pourront également être étendues aux PUF à base d’anneaux oscillants.

Référence Campus France : CF202649699.